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Autor: Philipp Bohnke
Datum: 28-01-2018

Smartphones mit Terabyte Speicher möglich sein wird, mit dem RRAM

Von allen Komponenten eines Smartphones, die teuer und schwer zu bekommen ist nicht der Prozessor, auch der Bildschirm-Speicherchip sowohl RAM und Lagerung ist. Deshalb ist die Menge an Speicher nicht wesentlich in den letzten Jahren zunehmend auch in High-End-Modelle. Wenn wir Glück haben, werden wir einen microSD-Steckplatz Speicher zu erhöhen, aber auch diese Karten können auf die Größe der Dateien klein sein, die in modernen Geräten verwendet werden können.

Speicherprobleme endet

Wissenschaftler an der Rice University in Texas sagen, dass sie die Lösung gefunden haben: eine neue Art von resistiven RAM, RRAM. Da der Flash-Speicher, hält die RRAM-Daten ohne eine konstante Zufuhr von Energie zu speichern braucht RAM; Der grundlegende Unterschied ist, dass während Flash-Speicher speichert Bits als Ladungs, RRAM speichert in Form von elektrischen Widerständen. Auf diese Weise können mehr Bits im selben Raum setzen, so dass Sie ein Terabyte Daten in nicht mehr speichern, als ein Stempel-Chip, und greifen Sie schneller.

Es hört sich gut an, nicht wahr? RRAM wurde bereits bei den Herstellern bekannt, aber bisher eine zu große negative hatte: die Schwierigkeit der Herstellung wegen der hohen Temperaturen und Spannungen erforderlich. Hier ist, wo die Entwicklung von Forschern aus Reis, ein neues Herstellungsverfahren, das bei Raumtemperatur und bei viel niedrigeren Spannungen durchgeführt werden kann. Das Verfahren beinhaltet eine Schicht aus Silizium mit kleinen Löchern von etwa fünf Nanometer dioxid gefüllt zu schaffen; Diese poröse Oberfläche mit Metall beschichtet als Elektroden zu dienen, und die Spannung wird angelegt, um die Poren zu füllen, um die Verbindung zwischen den beiden Seiten bilden. Eine weitere kleine Spannung bricht, dass die Verbindung und ermöglicht es dem Silizium in dem Spalt gebildet werden soll; jede dieser nun gefüllte Hohlräume Silizium ist ein Bit, dessen Leitfähigkeit mit einer kleinen Niederspannungsentladung verändert werden. Das Bit wird in dieser Position bleiben, bis sie von einem anderen Schlag neu geschrieben wird.

Dieses Herstellungsverfahren wurde als „Durchbruch“ definiert, die den RRAM als Option werden für die Speicherung der künftigen Smartphones und Tablets im Auge zu behalten.

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